高迁移率OFET的制备（河南大学）

成果简介：在绝缘层修饰和电极缓冲层的协同作用下，将OFET的迁移率提高15倍以上，迁移率达到12cm2/Vs以上。该方法简单，适用于真空沉积的有机半导体材料的大面积加工，制备的器件性能均一。

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